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湖南三安发布首代Trench MOSFET技术平台碳化硅器件性能突破国际水平

8月28日，据湖南湘江新区企业湖南三安半导体（简称“湖南三安”）消息，该企业于8月正式推出首代高性能Trench MOSFET技术平台，其关键性能指标显著超越国际先进水平，标志着公司在碳化硅功率器件领域实现重大技术突破。作为覆盖全产业链的第三代半导体企业，湖南

三安光电旗下湖南三安半导体正式发布首代高性能Trench MOSFET技术平台成果。湖南三安半导体已明确下一代Trench MOSFET技术规划：导通电阻（Ron,sp）目标将进一步下降超过20%。